特許
J-GLOBAL ID：201103049852582114
複合発光素子と発光装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106037
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015817
特許番号：特許第3399440号
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光透過性基板の上にn型半導体層及びp型半導体層を積層し、前記光透過性基板を上面に向けてこれを主光取り出し面とするとともに、下面にはn型半導体層及びp型半導体層に接続するn電極及びp電極が形成された発光素子と、前記発光素子を搭載し、それと対向する面上に第1及び第2の対向電極と反対の面に裏面電極を持ち、前記第1及び第2の対向電極はそれぞれ前記n電極及びp電極にマイクロバンプを介して導通接合しているとともに、前記第1及び第2の対向電極のうち一方の電極はボンディングパッド領域があり、他方の電極は前記裏面電極に導通しているサブマウント素子と、前記発光素子の発光波長を他の波長に変換する蛍光物質、又は前記発光素子の発光波長を一部吸収するフィルター物質を含有した第1の樹脂とを備えるとともに、前記第1の樹脂が、前記サブマウント素子を受け皿として、前記サブマウント素子の上に配置された前記発光素子を覆うように塗布されている複合発光素子において、前記発光素子の主光取り出し面(光透過性基板の天面)とこの面上に塗布された前記第1の樹脂の外郭面(天面)のいずれか一方又は両方が研磨により受け皿となる前記サブマウント素子の裏面電極形成面とほぼ平行に形成されていることを特徴とする複合発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
, H01S 5/022
