特許
J-GLOBAL ID：201103049873644764
磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-393200
公開番号（公開出願番号）：特開2002-197851
特許番号：特許第3920564号
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ライトワード線と、
前記ライトワード線に交差する複数のビット線と、
前記ライトワード線と前記複数のビット線の交点に1つずつ配置され、前記ライトワード線に流れる電流及び前記複数のビット線に流れる電流により発生する磁場により変化する磁化の向きによりデータを記憶する複数の磁気抵抗素子と、
前記ライトワード線に第1方向に向かう電流を流し、前記複数のビット線のうち選択されたビット線に第2方向に向かう電流を流して、前記ライトワード線と前記選択されたビット線の交点に配置される磁気抵抗素子にデータを記憶させた後に、前記ライトワード線に前記第1方向に対して逆方向に向かう電流を流し、前記選択されたビット線に前記第2方向に対して逆方向に向かう電流を流すドライバとを具備し、
前記ライトワード線に前記第1方向に対して逆方向に向かう電流を流す期間と前記選択されたビット線に前記第2方向に対して逆方向に向かう電流を流す期間は、時間的に重ならないと共に、
前記ライトワード線と前記選択されたビット線の交点に配置される磁気抵抗素子に対しては、1回のライトサイクルでデータライトを完了させ、前記ライトワード線に流す電流の向きは、1回のライトサイクルごとに変化させる
ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (3件)：
G11C 11/15 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
G11C 11/15 140
, H01L 27/10 447
