半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218189
公開番号（公開出願番号）：特開2001-043684
特許番号：特許第3415502号
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メモリセルアレイを構成する複数のサブアレイの各々に設けられ、メモリセルに記憶される多値データの各値に対応する電位をそれぞれ記憶するダミーセル対と、前記各サブアレイに設けられ、選択したワード線によって活性化されるメモリセルが前記複数のサブアレイのうちの何れに属するかに応じて、副ビット線経由で前記メモリセルから読み出した前記多値データの電位をセンスして主ビット線に出力するメモリ副センスアンプ(以下SSA)として動作するか、あるいは、副ビット線対を経由して前記ダミーセル対から読み出した電位をバランスさせることで、前記多値データ間を識別するリファレンスレベルを生成して前記主ビット線と異なる主ビット線に出力するダミーSSAとして動作する複数のSSAと、前記各主ビット線に出力された前記多値データの電位及び前記各リファレンスレベルに基づいて該多値データの値を判定する主センスアンプ(以下MSA)とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/56 , G11C 11/401 , G11C 11/407 , G11C 29/00 603

FI (6件)：

G11C 29/00 603 Z , G11C 11/34 381 D , G11C 11/34 352 E , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 362 B , G11C 11/34 371 D

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平1-196791
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-352635 出願人：日本電気株式会社

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