特許

J-GLOBAL ID：201103050038310004

イメージセンサ及びその製造方法

発明者： 松野 文彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156282
特許番号：特許第3414343号
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】透明基板上に、ポリシリコンとゲート絶縁膜とゲート電極とが積層された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタ上層に形成された第1の層間膜を介して、下部電極とアモルファスシリコン層と上部電極とが積層されたフォトダイオードと、がアレイ状に配列され、各々の前記フォトダイオードの前記上部電極と接続される引き出し配線が、前記フォトダイオード上層に形成された第2の層間膜を介して、前記フォトダイオードの配列方向に略平行して配設されるイメージセンサにあって、前記フォトダイオードを構成する前記アモルファスシリコン層が、入射する光を受光する画素部領域から前記引き出し配線領域に至るまで連続して段差をなくして配設されている、ことを特徴とするイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ及びイメージセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216736   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開平4-180264
  
• 特開昭64-080072
  
• 特開昭59-110179