特許

J-GLOBAL ID：201103050216203551

バルク単結晶ガリウム含有窒化物の製造方法及びそれにより得られるバルク単結晶ガリウム含有窒化物基板並びにその基板上に製造されるデバイス.

発明者： ドヴィリンスキ ロベルト ,  ドラジンスキ ロマン ,  シェシュプトフスキ レシェック ,  ガルチニスキ イエジ ,  ルジンスキ マリウシュ
出願人/特許権者： アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン
代理人 (1件)： 石井 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-140785
公開番号（公開出願番号）：特開2011-016714
出願日： 2010年06月21日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：

【課題】第1族金属イオンとアクセプタドーパントのイオンを含んでいるバルク単結晶ガリウム含有窒化物を得る方法及びそれで作られたエピタキシー基板とその基板で製造されるデバイスを提供する。【解決手段】超臨界のアンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物のシード上への晶出(結晶化)工程から構成され、アクセプタドーパントイオンの超臨界のアンモニア含有溶液に対するモル比は少なくとも0.0001である。また、シード上で晶出させる工程後、950°Cと1200°Cの間の温度、望ましくは950°Cと1150°Cの間の温度で窒化物をアニールする工程から構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1族金属イオンとアクセプタドーパントを含む超臨界アンモニア含有溶液から単結晶ガリウム含有窒化物をシード上で晶出させる工程によりバルク単結晶ガリウム含有窒化物を製造するにあたり、アクセプタドーパントイオンの 超臨界アンモニア含有 溶媒に対するモル比を少なくとも 0.0001とし、 シード上で晶出させる工程後さらに前記窒化物を950°Cから1200°C、好ましくは950°Cから1150°Cでア二ールする工程を含むことを特徴とする 方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 7/10 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B7/10 ,  C30B33/02 ,  H01L21/205

Fターム (28件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077BE15 ,  4G077CB01 ,  4G077CB03 ,  4G077EB01 ,  4G077EC10 ,  4G077FE06 ,  4G077FE11 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077KA01 ,  4G077KA03 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC02 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF04 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-558481   出願人：アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社