特許
J-GLOBAL ID:200903002486075781
ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するためのプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するためのプロセス
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
河宮 治
, 石井 久夫
, 竹内 三喜夫
, 田村 啓
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-558481
公開番号(公開出願番号):特表2006-509708
出願日: 2003年12月11日
公開日(公表日): 2006年03月23日
要約:
本発明は、ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセス、得られた結晶から不純物を排除するプロセス、及びガリウム含有窒化物バルク単結晶からなる基板を製造するプロセスを提供することを目的とする。本発明は、ミネラライザが添加された超臨界アンモニア含有溶媒中において、ガリウム含有フィードストックから単結晶ガリウム含有窒化物を得るプロセスであって、上記プロセスは、 金属の形態からガリウム含有窒化物多結晶までフィードストックを変換する第1ステップと、 フィードストックが徐々に溶解され、そしてフィードストックの溶解温度より高い温度で少なくとも1つの単結晶シード上においてガリウム含有窒化物が選択的に結晶化されることにより、ガリウム含有窒化物が結晶化されその後ガリウム含有窒化物バルク単結晶が得られる第2ステップと、を有することを特徴とするプロセスにある。
請求項(抜粋):
ミネラライザが添加された超臨界アンモニア含有溶媒中において、ガリウム含有フィードストックから単結晶ガリウム含有窒化物を得るためのプロセスであって、
上記プロセスは、
フィードストックを金属の形態からガリウム含有窒化物多結晶まで変換する第1ステップと、
フィードストックが徐々に溶解され、そしてフィードストックの溶解温度より高い温度で少なくとも1つの単結晶シード上においてガリウム含有窒化物が選択的に結晶化されることにより、ガリウム含有窒化物が結晶化されその後ガリウム含有窒化物バルク単結晶が得られる第2ステップと、を有することを特徴とするプロセス。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (9件):
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CB03
, 4G077EC04
, 4G077EJ09
, 4G077FJ01
, 4G077FJ06
, 4G077HA02
, 4G077KA03
引用特許:
出願人引用 (4件)
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ガリウム含有窒化物のバルク単結晶の製造法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-143449
出願人:アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
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特許第4116535号
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ガリウム含有窒化物バルク単結晶の製造方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2004-517422
出願人:アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
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ガリウム含有窒化物の単結晶の製造法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-059744
出願人:アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン, 日亜化学工業株式会社
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審査官引用 (4件)