ZnO系化合物半導体の製造方法及び半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-250116
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096884
出願日： 2009年10月30日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：

【課題】安定したp型ZnO系半導体結晶を得ることが可能なZnO系化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 ZnO系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、N2ガスとO2ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加p型ZnO系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記N2ガスとO2ガスとを混合したガスの混合比O2/N2が、0より大きく1以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、N2ガスとO2ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加p型ZnO系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記N2ガスとO2ガスとを混合したガスの混合比O2/N2が、0より大きく1以下であるZnO系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/28 , H01L 21/363 , H01L 21/365

FI (3件)：

H01L33/00 182 , H01L21/363 , H01L21/365

Fターム (43件)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA41 , 5F041CA49 , 5F041CA55 , 5F041CA66 , 5F041CA73 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F045AA05 , 5F045AB22 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD11 , 5F045AE01 , 5F045AF06 , 5F045BB04 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045DA52 , 5F045DP02 , 5F045DQ10 , 5F045EF08 , 5F045EH05 , 5F045EK07 , 5F045GB04 , 5F045GB10 , 5F103AA04 , 5F103BB04 , 5F103BB05 , 5F103BB42 , 5F103BB55 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103JJ01 , 5F103KK01 , 5F103KK10 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103NN06 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (3件)

酸化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-149236 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
p型酸化亜鉛薄膜及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-176736 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-257781 出願人：シチズン東北株式会社, 国立大学法人岩手大学

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