特許
J-GLOBAL ID：201103050286125299
半導体光パルス圧縮導波路素子及び半導体光パルス発生レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147170
公開番号（公開出願番号）：特開2000-338453
特許番号：特許第3328881号
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 可飽和増幅領域と可飽和吸収領域とからなる光パルス圧縮領域を有し、光パルスを圧縮することのできる半導体光導波路を備えた半導体光パルス圧縮導波路素子であって、前記可飽和増幅領域が、注入される電流量に応じて、ある一定量の光エネルギーを増幅した後に増幅特性を一時的に失う特性を有し、前記可飽和吸収体領域が、逆バイアスの電圧値の制御により、制御可能なある一定量の光エネルギーを吸収した後に吸収特性を一時的に失う特性を有し、前記光パルス圧縮領域が、前記可飽和増幅領域と前記可飽和吸収体領域とを交互に二対以上直列に配列されてなることを特徴とする半導体光パルス圧縮導波路素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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