特許

J-GLOBAL ID：201103050506947562

相変化メモリ

発明者： ラマニ,プラディープ ,  ポーター,ジョン ディー.
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-501791
公開番号（公開出願番号）：特表2011-517829
出願日： 2009年03月16日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

本開示は、相変化メモリセルを動作させるためのデバイスおよび方法を含む。1つ以上の実施形態は、プログラミング信号をメモリセルの相変化材料に印加するステップと、印加されたプログラミング信号のトレーリング部分の大きさを複数の特定のデクリメントに従って連続的に低減するステップとを含む。複数の特定のデクリメントの大きさおよび持続時間は、特定のプログラム値に対応する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

相変化メモリデバイスを動作させる方法であって、 プログラミング信号をメモリセルの相変化材料に印加するステップと、 前記印加されたプログラミング信号のトレーリング部分の大きさを、複数の特定のデクリメントと、特定のプログラム値に対応する前記複数の特定のデクリメントの大きさおよび持続時間とに従って連続的に低減するステップと、 を含む、方法。

IPC (3件)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (3件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第6487113号
  
• 相変化メモリアレイのセットプログラミング方法及び書き込みドライバ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-378128   出願人：三星電子株式会社
• メモリまたはFPLAとして使用するための通常は単相のカルコゲナイド材料のプログラミング
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-506504   出願人：オボニックスインク.