メモリまたはFPLAとして使用するための通常は単相のカルコゲナイド材料のプログラミング

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-506504
公開番号（公開出願番号）：特表2009-534835
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2009年09月24日
要約：

30分以下で200°Cにさらされたとき、ほぼ結晶質の相に変化しないほぼ非晶質のカルコゲナイド材料として定義される安定カルコゲナイドガラスで実装されるメモリを提供する。異なる状態は、材料の閾値電圧を変化させることによりプログラミングすることができる。閾値電圧は、異なる振幅のパルスおよび/または異なるパルスの立下り時間と共に変化させることができる。読み出しは、2つの異なる状態の閾値電圧間の中間の基準レベルを使用して行うことができる。別のアクセスデバイスは、通常必要でない。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

異なる閾値電圧を備えた少なくとも2つの異なる状態を有するよう、30分以下で200°Cにさらされたとき、ほぼ結晶質の相に変化しないほぼ非晶質のカルコゲナイド層を含むメモリ素子をプログラミングするステップを含む方法。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , H01L 21/82 , G11C 13/00 , H01L 27/10

FI (5件)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A , H01L21/82 A , G11C13/00 A , H01L27/10 461

Fターム (11件)：

5F064AA08 , 5F064BB02 , 5F064BB09 , 5F064BB12 , 5F064BB13 , 5F064BB15 , 5F064BB23 , 5F064CC09 , 5F083FZ10 , 5F083GA06 , 5F083JA60

引用特許：

審査官引用 (5件)

記憶素子及び記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-182775 出願人：ソニー株式会社
特許第6831856号
相変化メモリ装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-569564 出願人：株式会社東芝

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