GaN系半導体素子とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：机昌彦 , 下坂直樹 , 谷澤靖久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274555
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148348
特許番号：特許第3934320号
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaN系半導体と格子定数や熱膨張係数が異なる基板表面、あるいは前記基板上に形成されたGaN系半導体表面にパターニングされたマスク材料により成長領域を形成する工程と、前記成長領域にGaN系半導体がファセット構造を形成するように成長させるとともに転位を曲げ、隣接する成長領域のGaN系半導体とともに前記マスク材料を覆い表面を平坦化する工程と、前記GaN系半導体膜上にGaN系半導体素子の積層構造を形成する工程を有することを特徴とするGaN系半導体積層構造の形成方法。

IPC (1件)：