特許
J-GLOBAL ID:201103051873322117

金属薄膜製造方法および金属薄膜

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-210595
公開番号(公開出願番号):特開2011-060653
出願日: 2009年09月11日
公開日(公表日): 2011年03月24日
要約:
【課題】 金属粒子の分散体を用いて絶縁基板上に体積抵抗率の低い導電層を得ることができる、金属薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 工程(A):金属粒子分散体を含有する塗膜に過熱水蒸気による加熱処理を施す工程、工程(B):工程(A)で得られた金属薄膜層上に金属めっきを施す工程、の少なくとも2つの工程を含む、金属薄膜の製造方法、およびこの方法で製造された金属薄膜。前記塗膜が金属粒子分散体を絶縁性基板に塗布または印刷したものであることが好ましい。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
工程(A):金属粒子分散体を含有する塗膜に過熱水蒸気による加熱処理を施す工程、 工程(B):工程(A)で得られた金属薄膜層上に金属めっきを施す工程、 の少なくとも2つの工程を含む、金属薄膜の製造方法。
IPC (3件):
H01B 13/00 ,  H01B 5/14 ,  H05K 3/00
FI (3件):
H01B13/00 503Z ,  H01B5/14 Z ,  H05K3/00 R
Fターム (21件):
5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343AA23 ,  5E343AA26 ,  5E343BB16 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB38 ,  5E343BB44 ,  5E343BB72 ,  5E343DD01 ,  5E343DD02 ,  5E343DD43 ,  5E343ER32 ,  5E343GG13 ,  5G307GA06 ,  5G307GB01 ,  5G307GC02 ,  5G323AA03
引用特許:
審査官引用 (3件)

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