特許
J-GLOBAL ID：200903080433358952

積層基板の製造方法

発明者：
丸山 睦弘

丸山 睦弘 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-132433
公開番号（公開出願番号）：特開2006-305914
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】絶縁基板上に薄膜の金属層を容易に形成でき、さらにエッチング後において絶縁基板上にエッチング残りが少なく、絶縁信頼性に優れた積層基板の製造方法を提供する。【解決手段】(1)加熱処理によって互いに融着する、一次粒径が200nm以下の金属薄膜前駆体微粒子を含有する分散体を絶縁基板上に塗布し、加熱処理することによって金属薄膜を形成する工程と、(2)前記金属薄膜上に金属メッキを行って金属膜を形成する工程を含む積層基板の製造方法。【選択図】 選択図なし
請求項（抜粋）：
(1)加熱処理によって互いに融着する、一次粒径が200nm以下の金属薄膜前駆体微粒子を含有する分散体を絶縁基板上に塗布し、加熱処理することによって金属薄膜を形成する工程と、(2)前記金属薄膜上に金属メッキを行って金属膜を形成する工程を含む積層基板の製造方法。
IPC (3件)：
B32B 15/08 ,  B32B 15/16 ,  H05K 3/00
FI (3件)：
B32B15/08 J ,  B32B15/16 ,  H05K3/00 R
Fターム (38件)：
4F100AA17A ,  4F100AB01A ,  4F100AB01C ,  4F100AB17A ,  4F100AB33A ,  4F100AB33C ,  4F100AG00 ,  4F100AH02A ,  4F100AK49G ,  4F100AK54 ,  4F100AL05A ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100DE01A ,  4F100EC03 ,  4F100EC032 ,  4F100EH46 ,  4F100EH462 ,  4F100EH71 ,  4F100EH712 ,  4F100EJ15 ,  4F100EJ152 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ422 ,  4F100GB43 ,  4F100JA05A ,  4F100JB12G ,  4F100JB16G ,  4F100JG04B ,  4F100JL01 ,  4F100JL05 ,  4F100JM01A ,  4F100JM02C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00G
引用特許：
審査官引用 (9件)
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