特許
J-GLOBAL ID:201103052027985223

超伝導-通常-超伝導ジョセフソン接合中に通常層を作製するためのイオン注入の使用

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 社本 一夫 (外5名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-148219
公開番号(公開出願番号):特開2000-349356
特許番号:特許第3382588号
出願日: 2000年05月19日
公開日(公表日): 2000年12月15日
請求項(抜粋):
【請求項1】第1の高温超伝導(HTS)層を基板上に堆積する工程と;前記第1のHTS層の一部を選択的に除去して、基板の上面の一部を露出し、該基板の露出した上面に隣接させて前記第1のHTS層の表面に角を成す側面を形成する工程と;前記第1のHTS層の一部を選択的に除去した後に、打込み増強層を堆積する工程(該打込み増強層中のイオン打込み物を集中させるために、前記打込み増強層は前記第1のHTS層及び前記基板の上面の上に堆積される)と;該角を成す側面に沿ってイオン注入を実行して、非超伝導特性を有する接合領域を形成する工程と;該接合領域及び前記基板の露出した上面の上に第2のHTS層を堆積し、それによってSNS接合を形成する工程と;を含む、超伝導集積回路において使用するための超伝導-通常-超伝導(SNS)接合を作製する方法。
IPC (1件):
H01L 39/24 ZAA
FI (1件):
H01L 39/24 ZAA J
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開平4-317381
  • 特開昭64-067984
  • 超伝導回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-082821   出願人:株式会社移動体通信先端技術研究所
審査官引用 (3件)
  • 特開昭64-067984
  • 超伝導回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-082821   出願人:株式会社移動体通信先端技術研究所
  • 特開平4-317381

前のページに戻る