特許
J-GLOBAL ID：201103052032379757
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164302
公開番号（公開出願番号）：特開2001-344984
特許番号：特許第3698019号
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 マトリクス状に配置されたメモリセルで構成されたメモリセルアレーと、 前記メモリセルアレーからロウ方向に1本分のメモリセルをそれぞれ選択する複数のビット線と、 前記メモリセルアレーからカラム方向に1本分のメモリセルをそれぞれ選択する複数のワード線と、 前記ビット線を選択するカラムデコーダと、 前記ワード線を選択するロウデコーダと、 前記ビット線をディスチャージするディスチャージ回路とで構成される半導体記憶装置において、 前記半導体記憶装置に記憶されたデータを読み出すアドレス更新時には、カラム方向に奇数列のビット線から順次1ビット線毎に選択し、奇数列のビット線上のメモリーセルを全て読み出した後、偶数列のビット線を順次1ビット線毎に選択し、偶数列のビット線上のメモリーセルを全て読み出し、かつ2系統の制御信号により読み出し選択されていない奇数列のビット線、または偶数列のビット線の一方を選択ディスチャージすることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 634 B
, G11C 17/00 634 A
, G11C 17/00 633 A
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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