特許
J-GLOBAL ID：201103052086866130
半導体集積デバイスのインピーダンスをチューニングする方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-503218
特許番号：特許第4245294号
出願日： 2000年06月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体集積デバイスのインピーダンスを、第1のドーパント濃度を有する第1の領域から前記第1の領域よりも低いドーパント濃度を有する直接隣接する第2の領域へのドーパントの制御された拡散によって反復的、選択的かつ正確にチューニングする方法であって、
前記第1の領域および前記第2の領域の各々の一部分にまたがる選択されたエリアへ、集束される加熱源を導くステップと、
前記集束される加熱源からの加熱パルスを前記選択されたエリアに印加するステップであって、前記加熱パルスが前記選択されたエリアを溶融して前記第1の領域から前記第2の領域へのドーパントの制御された拡散を可能にする、ステップと、
溶融した前記選択されたエリアを固化させるステップであって、固化した前記選択されたエリアがこの段階で前記第1の領域および前記第2の領域のドーパント濃度の中間にあるドーパント濃度を有する第3の領域になる、ステップと、
前記半導体集積デバイスのインピーダンスを測定して、前記インピーダンスが必要とされるものより高いか低いかを判定するステップと、
前記インピーダンスが必要とされるものよりも高い場合は、
前記集束される加熱源を前記第3の領域に隣接する第1の領域の一部分に導き、前記第1の領域の前記部分に加熱パルスを印加するステップであって、前記加熱パルスが前記第1の領域の前記部分を溶融し、さらに、隣接する前記第3の領域を溶融して、前記第1の領域の溶融した前記部分から、溶融した前記第3の領域への追加ドーパントの制御された拡散を可能にし、溶融した前記エリアを固化させる、ステップと、
前記インピーダンスが必要とされるものより低い場合は、
前記集束される加熱源を前記第3の領域に隣接する第2の領域の一部分に導き、前記第2の領域の前記部分に加熱パルスを印加するステップであって、前記加熱パルスが前記第2の領域の前記部分を溶融し、さらに、隣接する前記第3の領域を溶融して、前記第3の領域から前記第2の領域の溶融した前記部分へのドーパントの制御された拡散を可能にし、溶融した前記エリアを固化させる、ステップと
前記半導体集積デバイスの所望のインピーダンスが得られるまで反復的ステップを繰り返すステップと
を包含する、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/22 ( 200 6.01)
, H01L 21/268 ( 200 6.01)
H01L 27/04 V
, H01L 21/22 E
, H01L 21/22 501 L
, H01L 21/268 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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