半導体基材及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高島一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-336421
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156002
特許番号：特許第3471687号
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】サファイア基板と、該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、半導体結晶は、AlxGa1-x-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)によって決定される半導体からなる結晶であり、前記基板の結晶成長面は、凹部としての溝と、凸部としての凸条とを有するストライプ型の凹凸面とされ、凹部の幅は凸部の幅よりも広く、かつ、該ストライプの長手方向はサファイア基板の<11-20>方向であり、凹部はその層からは実質的に結晶成長し得ないマスクで覆われ、前記半導体結晶は、該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長されたものであることを特徴とする半導体基材。

IPC (1件)：