特許
J-GLOBAL ID：200903026628062174

サファイア基板上に窒化ガリウム半導体層を製造するペンディオエピタキシャル方法およびそれにより製造された窒化ガリウム半導体構造体

発明者：
トーマス・ガーク

トーマス・ガーク について

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ケビン・ジェイ・リンシカム

ケビン・ジェイ・リンシカム について

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ロバート・エフ・デービス

ロバート・エフ・デービス について


出願人/特許権者：
ノースカロライナ州立大学

ノースカロライナ州立大学 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-537783
公開番号（公開出願番号）：特表2003-514392
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月15日
要約：
【要約】窒化ガリウム半導体層は、サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、下層の窒化ガリウムにおける少なくとも一つの柱および下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの溝を規定することによって製造される。少なくとも一つの柱は窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含む。少なくとも一つの溝は溝底を含む。窒化ガリウム側壁は少なくとも一つの溝内に横方向成長され、それによって窒化ガリウム半導体層を形成する。しかしながら、横方向成長工程を行う前に、溝底からの窒化ガリウムの成長が少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁の少なくとも一つの溝内への横方向成長と干渉するのを防止するために、サファイア基板および/または下層の窒化ガリウム層が処理される。本発明による窒化ガリウム半導体構造体の実施形態はサファイア基板およびこのサファイア基板上の下層の窒化ガリウム層を含むことができる。下層の窒化ガリウム層はその中に少なくとも一つの柱および少なくとも一つの溝を含む。少なくとも一つの柱はそれぞれ窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含む。少なくとも一つの溝はサファイア底を含む。横方向窒化ガリウム層は少なくとも一つの柱の窒化ガリウム側壁から少なくとも一つの溝内に横方向に延在する。好ましい実施形態においては、少なくとも一つの溝は、少なくとも一つの柱がそれぞれ窒化ガリウム頂部、窒化ガリウム側壁およびサファイア側壁を含み、少なくとも一つの溝がサファイア底を含むように、サファイア基板に延在する。サファイア底は好適には、その上に縦方向窒化ガリウム層がなく、サファイア底の幅に対するサファイア側壁の高さの比は好適には約1/4を超える。サファイア底の上にマスクが含まれてもよく、窒化アルミニウムバッファ層がサファイア基板と下層の窒化ガリウム層との間に含まれてもよい。マスクは窒化ガリウム頂部の上に含まれてもよい。底の上のマスクおよび頂部の上のマスクは同一の材料からなる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、上記サファイア基板を選択的に露出させるとともに、上記下層の窒化ガリウム層に少なくとも一つの柱および少なくとも一つの溝を規定し、上記少なくとも一つの柱はそれぞれ窒化ガリウム頂部および窒化ガリウム側壁を含み、上記少なくとも一つの溝はサファイア底を含む工程と、 上記少なくとも一つの柱の上記窒化ガリウム側壁を上記少なくとも一つの溝に横方向成長させ、それによって窒化ガリウム半導体層を形成する工程とを有する窒化ガリウム半導体層の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205
Fターム (21件)：
5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045DA53 ,  5F052DA04 ,  5F052GC01 ,  5F052GC06 ,  5F052KA05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件)

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