特許
J-GLOBAL ID:201103052466430181
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-027205
公開番号(公開出願番号):特開2000-223708
特許番号:特許第3748337号
出願日: 1999年02月04日
公開日(公表日): 2000年08月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】半導体基板の表面側に形成されたゲートトレンチ内にゲート絶縁膜とゲート電極が埋め込まれ、前記表面側に形成されたコンタクトトレンチ内に第1の電極が形成され、前記半導体基板の裏面側には第2の電極が形成され、前記第1の電極と前記半導体基板との接触面積を稼ぐコンタクトトレンチ構造を採用した半導体装置であって、
前記コンタクトトレンチは、終端部には形成されておらず、ゲートトレンチで挟まれた領域内にのみ形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 653 A
引用特許:
審査官引用 (1件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-132361
出願人:日産自動車株式会社
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