特許
J-GLOBAL ID：201103052569532160
フラッシュメモリ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186773
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028192
特許番号：特許第4472839号
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 動作状態を示すための状態読み出し動作を実行する機能を有するフラッシュメモリ装置において、
データ情報を貯蔵するメモリセルアレーと、第1及び第2グループに分けられた複数個のデータ入出力ピンと、
前記第1グループのデータ入出力ピンに各々対応する第1グループのデータ出力回路と、
前記第2グループのデータ入出力ピンに各々対応する第2グループのデータ出力回路とを含み、
前記状態読み出し動作に関連する状態データ信号は、前記第1グループのデータ入出力ピンを通じて出力され、前記第2グループのデータ入出力ピンは、前記状態読み出し動作の間は利用されず、前記第1グループのデータ入出力ピンのうち少なくとも一つに連結されたデータ出力回路は、トグルされる状態データ信号を出力し、前記状態読み出し動作の間に、出力イネーブル信号(OE#)のN番目のサイクルで前記少なくとも一つのデータ入出力ピンを通じて出力される状態データ信号は、前記出力イネーブル信号(OE#)の(N-1)番目のサイクルの出力イネーブル信号(OE#)の立ち上がりで生成され、そして前記第2グループのデータ入出力ピンの各々は、前記状態読み出し動作の間、対応するデータ出力回路によって所定の状態に維持されるとともに、
前記出力イネーブル信号(OE#)がローレベルでハイレベルに遷移する都度、前記状態データ信号がトグルされる
ことを特徴とするフラッシュメモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ( 200 6.01)
, G11C 16/02 ( 200 6.01)
G11C 17/00 636 B
, G11C 17/00 601 D
