特許

J-GLOBAL ID：201103052846761601

半導体記憶装置

発明者： 小野寺 忠
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135076
特許番号：特許第3439404号
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 独立して動作するバンク内のメモリセルに保持されたデータをセンスするセンス手段をバンク間で共有した半導体記憶装置において、外部から供給されるバンクアドレスをデコードして、前記バンクを指定するためのバンク選択信号を各バンクについて生成するバンクデコード手段と、バンク毎に設けられ、対応するバンクの活性化が指示されたときに、該活性化すべきバンクとの間で前記センス手段を共有している他のバンクのうちの何れか一つでも活性化されていれば、前記活性化すべきバンクを活性化させるためのバンクイネーブル信号を無効化して、該バンクを活性状態にすることなく非活性状態とするとともに、各バンクに共通のタイミング信号,対応するバンクについて生成された前記バンク選択信号,および前記他のバンクについて生成された前記バンクイネーブル信号に基づいて、前記メモリセルへのアクセスに用いるバンク固有のタイミング信号を生成する制御手段とを具備したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 ,  G11C 11/407

FI (2件)：

G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 362 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-241589
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-215921   出願人：日本電気株式会社