特許
J-GLOBAL ID:200903073240433918

半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加藤 朝道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-215921
公開番号(公開出願番号):特開平11-045205
出願日: 1997年07月25日
公開日(公表日): 1999年02月16日
要約:
【要約】【課題】自バンク及び他バンクのアクティブコマンドを連続して入力可能とする半導体記憶装置の提供。【解決手段】外部入力1よりバンクA及びバンクBのアクティブコマンドが連続して入力された場合、先に入力されたバンクAのアクティブコマンドにより信号線RA2が‘H’から‘L’となり、信号線SEAが‘H’となってバンクAのデジット線の増幅が開始されるが、バンクBのデジット線の増幅はバンクAのデジット線の増幅が終了するまで開始されず、バンクAのデジット線の増幅終了に合わせて信号線RA3が‘H’から‘L’となることで信号線RB2が‘H’から‘L’となり、信号線SEBが‘L’となって、バンクBのデジット線の増幅が開始される。
請求項(抜粋):
自バンク及び他バンクのアクティブコマンドが連続して入力されたとき、自バンクのデジット線の増幅を待って、他バンクのデジット線の増幅を開始する手段を備え、外部入力において自バンクアクティブコマンドと他バンクアクティブコマンドを連続入力可能として、自バンクアクティブコマンドから他バンクアクティブコマンド入力までの期間を短縮し、且つ自バンクアクティブコマンドから自バンクの読み出し書き込みコマンド入力までの期間のロスタイムなく自バンクの読み出し書き込みコマンドを入力可能とし、自バンクアクティブ中は他バンクをディセーブルとし自バンクアクティブ動作終了と同時に他バンクアクティブ動作を開始させる、ように構成してなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件):
G06F 12/00 570 ,  G11C 11/41
FI (2件):
G06F 12/00 570 A ,  G11C 11/34 301 F
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る