特許

J-GLOBAL ID：201103053089955823

半導体装置

発明者： 山口 勤 ,  宇田 尚典 ,  馬場 清一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199496
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101032
特許番号：特許第3600072号
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に第1オーミック電極と第2オーミック電極とが形成され、前記半導体基板中には、前記第1オーミック電極の下方に第1イオン注入領域が形成され、前記第2オーミック電極の下方に第2イオン注入領域が形成され、前記第1、第2イオン注入領域の間に動作層が形成され、前記半導体基板上には、前記動作層上の部分に第1ゲート電極と第2ゲート電極とが形成された半導体装置において、前記半導体基板中には、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との間の部分に低抵抗領域が形成され、前記動作層の側方の部分に前記低抵抗領域と前記第1、第2イオン注入領域との少なくとも一方とを結ぶ高抵抗領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 29/80 ,  H01P 1/15 ,  H03K 17/687

FI (5件)：

H01L 29/80 E ,  H01P 1/15 ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 W ,  H03K 17/687 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ミキサ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-243229   出願人：住友電気工業株式会社
• スイッチ回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-042470   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭58-161376
  
• 特開昭60-009172