特許
J-GLOBAL ID：200903008605703387
スイッチ回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-238059
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 低電圧動作および高出力伝送が可能でかつ小型のスイッチ回路装置を提供することである。【解決手段】 スイッチ回路装置は、GaAs基板100上に形成されたデュアルゲートFET10,20を含む。デュアルゲートFET10は端子A,B間に接続され、デュアルゲートFET20は端子A,C間に接続される。デュアルゲートFET10は深いピンチオフ電圧を有し、大きな電力P1 を伝送する。デュアルゲートFET20は浅いピンチオフ電圧を有し、小さな電力P2 を伝送する。デュアルゲートFET10,20のピンチオフ電圧は、それぞれ所定の条件式を満足するように設定される。
請求項（抜粋）：
n個のゲート電極を有するマルチゲート電界効果トランジスタを備え、前記マルチゲート電界効果トランジスタに接続される信号源の内部抵抗および負荷抵抗の値をそれぞれRとし、前記マルチゲート電界効果トランジスタにより伝送される電力における最大電圧振幅をVmax とした場合に、前記マルチゲート電界効果トランジスタのピンチオフ電圧VP 、耐圧Vr およびドレイン飽和電流IDSS が、 |VP -Vr |>Vmax /(2n) ・・・(A) IDSS >Vmax /(2R) ・・・(B)上式(A)および(B)を満足することを特徴とするスイッチ回路装置。
IPC (3件)：
H03K 17/687
, H03K 17/693
, H04B 1/48
H03K 17/687 G
, H03K 17/693 A
, H04B 1/48
