特許
J-GLOBAL ID：201103053115284304
磁気変換素子および薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250638
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118219
特許番号：特許第3363410号
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一対の対向する面を有する非磁性層と、前記非磁性層の一方の面側に形成された軟磁性層と、前記非磁性層の他方の面側に形成されると共に、互いに反対向きの2つの磁化が併存しうるよう構成された強磁性層と、前記強磁性層の前記非磁性層とは反対の側に形成された反強磁性層とを含んで構成された磁気変換素子であって、前記強磁性層は、強磁性内側層と、強磁性外側層と、これら2つの層に挟まれた結合層と、磁性を有する強磁性層内層とを含んで構成され、前記強磁性内側層と前記強磁性外側層とは、それらの磁化が互いに反対向きになるように、前記結合層を介して互いに磁気的に結合され、前記強磁性層内層は、前記強磁性層の他の少なくとも一部よりも大きな電気抵抗を有しており、前記非磁性層と前記強磁性層内層との間の距離DK1と、前記強磁性層における強磁性層内層と結合層との間の距離DK2との間には、1.2≦DK1/DK2≦3の関係が成立することを特徴とする気変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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