特許
J-GLOBAL ID：201103053822527493
オプトエレクトロニクス部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-515085
公開番号（公開出願番号）：特表2011-525708
出願日： 2009年06月09日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
本発明は、オプトエレクトロニクス部品を製造する方法に関する。本方法によると、第1の熱膨張係数を有するエピタキシャル成長基板(10)を形成する。この基板に多層緩衝積層体(11)を堆積させる。第1の熱膨張係数とは異なる第2の熱膨張係数を有する積層体(2)を、エピタキシャル成長させる。この積層体は、電磁放射を放出するのに適している活性層をさらに備えている。次いで、エピタキシャル成長させた積層体(2)にキャリア基板(15)を貼り付ける。エピタキシャル成長基板(10)を除去し、電磁放射の取り出しを増大させるため多層緩衝積層体(11)を構造化する(17)。次いで、エピタキシャル成長させた積層体(2)との接続を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
オプトエレクトロニクス部品を製造する方法であって、
- 第1の熱膨張係数を有する、シリコンベースの成長基板(10)を形成するステップと、
- 窒化物を含有する多層緩衝積層体(11)を堆積させるステップと、
- 前記第1の熱膨張係数とは異なる第2の熱膨張係数を有する積層体(2)をエピタキシャル成長させるステップであって、前記積層体(2)が、電磁放射を放出するのに適している活性層をさらに備えている、前記ステップと、
- 前記エピタキシャル成長積層体にコンタクトを形成するステップと、
- コンタクトを設けた前記エピタキシャル成長積層体(2)にキャリア基板(15)を貼り付けるステップと、
- 前記成長基板(10)を除去するステップと、
- 電磁放射の取り出しを増大させる目的で、前記多層緩衝積層体(11)を構造化するステップと、
- 前記エピタキシャル成長積層体(2)との接続を形成する接続形成ステップと、
を含んでいる、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041CA13
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA93
, 5F041CB13
, 5F041DA04
, 5F041DA09
