特許
J-GLOBAL ID：200903007420992947

半導体素子の形成に使用するための板状基体及びその製造方法

発明者：
李 定植

李 定植 について

, 
菅原 智也

菅原 智也 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-283567
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100501
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 板状基体の反りの低減と主半導体領域の結晶性改善との両方を得る。【解決手段】 シリコン基板の上に窒化物半導体から成るバッファ領域3を介して半導体素子の主要部を形成するための主半導体領域が配置されている。バッファ領域3が多層構造の複数の第1のバッファ領域9と単層構造の複数の第2のバッファ領域10との交互積層体で形成されている。第2のバッファ領域10に空隙15が含まれている。多層構造の第1のバッファ領域9の相互間に空隙15を有する第2のバッファ領域10が配置されることによって、半導体基体の反りが改善され且つ主半導体領域の結晶性が改善される。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に配置されたバッファ領域と、前記バッファ領域の上に配置された化合物半導体から成る主半導体領域とを備えた半導体素子の形成に使用するための板状基体であって、 前記バッファ領域は複数の多層構造バッファ領域と前記複数の多層構造バッファ領域の相互間に配置された単層構造バッファ領域とから成り、 前記多層構造バッファ領域は第1の層と第2の層との交互積層体であり、 前記多層構造バッファ領域の前記第1の層はアルミニウムを所定の割合で含む窒化物半導体から成り、 前記多層構造バッファ領域の前記第2の層はアルミニウムを含まない又は前記第1の層よりも小さい割合でアルミニウムを含む窒化物半導体から成り、 前記単層構造バッファ領域はアルミニウムを含まない又は前記第1の層よりも小さい割合でアルミニウムを含む窒化物半導体から成り且つ前記第1及び第2の層よりも厚く形成されており且つ空隙を有していることを特徴とする半導体素子の形成に使用するための板状基体。
IPC (5件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (34件)：
5F041AA40 ,  5F041CA08 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045DA67 ,  5F045DA69 ,  5F045EE12 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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