特許
J-GLOBAL ID：201103054108984062
高強度を有するCu-Ga系スパッタリングターゲット材およびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
椎名 彊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-009691
公開番号（公開出願番号）：特開2011-149039
出願日： 2010年01月20日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
【課題】 高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Cu-Ga系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。【解決手段】 原子%で、Gaを29〜40%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなる粉末冶金ターゲット材において、X線回折においてCuベースのfcc相の(111)面とCu9Ga4相の(330)面からのX線回折ピーク強度比が、0.05≦Cu[I(111)]/Cu9Ga4[I(330)]≦0.80、かつCuGa2相の(102)とCu9Ga4相の(330)面からのX線回折ピーク強度比が、CuGa2[I(102)]/Cu9Ga4[I(330)]≦0.10であり、さらに相対密度が95%以上であることを特徴とした高強度Cu-Ga系ターゲット材、およびその製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
原子%で、Gaを29〜40%含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなるCu-Ga系スパッタリングターゲット材において、Cuベースfcc固溶体相と、Cu9Ga4金属間化合物相からなる二相もしくは、さらに前記二相に加えCuGa2金属間化合物相の三相からなることを特徴とした高強度Cu-Ga系スパッタリングターゲット材。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C22C 9/00
, C22C 1/04
C23C14/34 A
, C22C9/00
, C22C1/04 A
4K017AA01
, 4K017BA05
, 4K017BB18
, 4K017EB00
, 4K018AA04
, 4K018BA02
, 4K018BC12
, 4K018EA01
, 4K018EA11
, 4K018KA29
, 4K029DC04
, 4K029DC08
