高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：富田和夫 , 鴨井久太郎 , 影山秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-323242
公開番号（公開出願番号）：特開2008-138232
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのCu-In-Ga-Se四元系合金膜を形成するときに使用する高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】Ga:30〜60質量%を含有し、残部がCuからなる成分組成を有するターゲットであって、このターゲットは、Ga:30質量%を越えて含有し、残部がCuからなる高Ga含有Cu-Ga二元系合金粉末に、純銅粉末またはGa:15質量%以下を含み、残部がCuからなる低Ga含有Cu-Ga二元系合金粉末を、Ga:30〜60質量%を含有し残部がCuからなる成分組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスして得られGa:30〜60質量%を含有し、残部がCuからなる成分組成を有するホットプレス体の表面を切削して製造する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

Ga:30〜60質量%を含有し、残部がCuからなる成分組成、並びにGa:30質量%を越えて含有し、残部がCuからなる高Ga含有Cu-Ga二元系合金粒をGa:15質量%以下の低Ga含有Cu-Ga二元系合金からなる粒界相で包囲した二相共存組織を有することを特徴とする高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C22C 9/00 , C23C 14/34 , C22C 28/00 , C22C 1/04 , B22F 3/14 , B22F 3/24

FI (7件)：

C22C9/00 , C23C14/34 A , C22C28/00 B , C22C1/04 A , C22C1/04 E , B22F3/14 D , B22F3/24 G

Fターム (14件)：

4K018AA04 , 4K018AA40 , 4K018BA02 , 4K018BB04 , 4K018BC12 , 4K018EA01 , 4K018FA06 , 4K018KA29 , 4K018KA51 , 4K018KA62 , 4K029BA21 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08

引用特許：

出願人引用 (2件)

光吸収層の作製方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-127611 出願人：本田技研工業株式会社
特許第3249408号明細書

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