特許
J-GLOBAL ID：201103054155854606
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
佐藤 一雄
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266176
公開番号（公開出願番号）：特開2000-222895
特許番号：特許第3866460号
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の信号線と、
第2の信号線と、
これら第1の信号線と第2の信号線の間に電気的書き換え可能なメモリセルを複数個直列接続して構成されたNANDセルと、
このNANDセルを複数ブロックに分割するためにNANDセル内の所定の隣接メモリセルの間に電流経路が直列に接続されたブロック分離選択トランジスタと、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 16/02 ( 200 6.01)
, G11C 16/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
G11C 17/00 612 F
, G11C 17/00 622 E
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
