特許
J-GLOBAL ID：201103054162494461
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351983
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168342
特許番号：特許第4226175号
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Si基板と、
前記Si基板上に形成された酸化膜と、
前記酸化膜上に形成された活性層とよりなる半導体装置において、
前記活性層は、
前記酸化膜上に形成された第1の歪みSi層と、
前記第1の歪みSi層上に結晶格子が整合して形成され、臨界膜厚よりも小さい厚さを有するSiGe混晶層と、
前記SiGe混晶層上に結晶格子が整合して形成された第2の歪みSi層とよりなり、
前記SiGe混晶層は無歪みであり、
前記第1および第2の歪みSi層は引張歪みを有し、
前記第1および第2の歪みSi層の厚さの合計が前記SiGe混晶層の厚さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 627 D
, H01L 27/12 B
