特許
J-GLOBAL ID：201103054247837180
導体組成物およびこれを用いた配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-194399
公開番号（公開出願番号）：特開2002-015620
特許番号：特許第4646362号
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ガラスセラミックスからなる絶縁基板の表面及び/または内部にCuを主成分とするメタライズ配線層を被着形成してなり、前記絶縁基板と前記メタライズ配線層とが同時焼成された配線基板において、前記メタライズ配線層が、Cu粉末100重量部に対して、Ni粉末またはNiO粉末をNiO換算で1〜10重量部、CuO粉末を0.1〜3重量部の割合で含有する導体組成物を焼成することにより得られ、前記メタライズ配線層の直下に2〜20μmの領域でNiの拡散層を形成してなることを特徴とする配線基板。
IPC (5件)：
H01B 1/22 ( 200 6.01)
, C04B 41/88 ( 200 6.01)
, H05K 1/09 ( 200 6.01)
, H05K 3/38 ( 200 6.01)
, H01B 1/00 ( 200 6.01)
H01B 1/22 A
, C04B 41/88 C
, H05K 1/09 A
, H05K 3/38 B
, H01B 1/00 L
