特許
J-GLOBAL ID:201103054508536263
微細炭素質材料を含む金属被膜の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人ウィンテック
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-028251
公開番号(公開出願番号):特開2011-162856
出願日: 2010年02月10日
公開日(公表日): 2011年08月25日
要約:
【課題】ナノメーターサイズの微細炭素質材料が均一に分散された金属被膜の形成方法を提供すること。【解決手段】微細炭素質材料が分散されているメッキ液を用い、被メッキ物の表面に、微細炭素質材料が分散された金属被膜をメッキする金属被膜の形成方法において、前記メッキ液中に界面活性剤を添加すると共に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方を供給し、前記二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方が超臨界状態又は亜臨界状態となるようにしてメッキを行う。本発明の金属被膜の形成方法は、電気メッキ方法及び化学メッキ方法の何れにも適用できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
微細炭素質材料が分散されているメッキ液を用い、被メッキ物の表面に、微細炭素質材料が分散された金属被膜をメッキする金属被膜の形成方法において、
前記メッキ液中に界面活性剤を添加すると共に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方を供給し、前記二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方が超臨界状態又は亜臨界状態となるようにしてメッキを行うことを特徴とする金属被膜の形成方法。
IPC (4件):
C25D 15/02
, C23C 18/52
, C25D 21/12
, B32B 15/01
FI (5件):
C25D15/02 F
, C23C18/52 A
, C25D21/12 A
, C25D15/02 A
, B32B15/01 K
Fターム (24件):
4F100AA37B
, 4F100AB01B
, 4F100AB17
, 4F100AB31
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100CA18B
, 4F100DE01B
, 4F100EH71B
, 4F100EJ60B
, 4F100JK09
, 4F100JK16
, 4F100JM01B
, 4K022AA02
, 4K022BA05
, 4K022BA14
, 4K022BA16
, 4K022BA34
, 4K022CA06
, 4K022CA18
, 4K022CA21
, 4K022DA01
, 4K022DB11
, 4K022DB30
引用特許:
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