特許
J-GLOBAL ID：200903076692833610
電気めっき方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人ウィンテック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-009151
公開番号（公開出願番号）：特開2008-111197
出願日： 2008年01月18日
公開日（公表日）： 2008年05月15日
要約：
【課題】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。【解決手段】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、金属粉末を前記金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させた電気めっき液及び界面活性剤を含み、超臨界状態又は亜臨界状態で誘導共析現象を利用して電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする方法において、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、金属粉末を前記金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させた電気めっき液及び界面活性剤を含み、超臨界状態又は亜臨界状態で誘導共析現象を利用して電気めっきを行うことを特徴とする電気めっき方法。
IPC (4件)：
C25D 7/12
, C25D 15/02
, C25D 21/12
, H01L 21/288
C25D7/12
, C25D15/02 E
, C25D21/12 A
, H01L21/288 E
4K024AA03
, 4K024AA04
, 4K024AA05
, 4K024AA09
, 4K024AB12
, 4K024BB12
, 4K024CA16
, 4K024CB26
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB36
, 4M104DD52
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
