特許
J-GLOBAL ID：201103054561191146
強誘電体キャパシタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
, 関根 毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-177480
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043537
特許番号：特許第3944364号
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁性下地層上に形成された第1下部電極と、
前記第1下部電極上に形成された第2下部電極と、
前記第2下部電極上に形成され、かつ、Pbを含んでいる、強誘電体膜と、
前記強誘電体膜上に形成された第1上部電極と、
前記第1上部電極上に形成された第2上部電極と、
前記第2上部電極上に形成された第3上部電極と、
前記第3上部電極上方に形成されたSiO2膜からなるパッシベーション膜と、
を備えるとともに、
前記第2上部電極の結晶粒が、前記第1上部電極の結晶粒の粒界及び前記第3上部電極の結晶粒の粒界のそれぞれに入り込んでいる、
ことを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (2件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
審査官引用 (1件)
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-274197
出願人：オリンパス光学工業株式会社
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