光半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082788
公開番号（公開出願番号）：特開2000-275418
特許番号：特許第3982940号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】回折格子を備えた光半導体素子であって、回折格子を構成する凹凸構造の凸部がGaAs層/InGaAs中間層/GaAs層からなる積層構造であり、前記凹凸構造が半導体層により埋め込まれている光半導体素子の製造方法であって、前記GaAs層/ InGaAs中間層/GaAs層で構成される積層構造において下側GaAs層に達する深さの凹部を持つ凹凸を形成する工程と、結晶再成長を行い凹凸形状を半導体材料からなる別の層で埋め込み回折格子を製造する工程とを有する回折格子の製造方法によって、上記回折格子を形成することを特徴とする、光半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：