特許
J-GLOBAL ID：201103054776207264
光電変換素子及び撮像素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-127391
公開番号（公開出願番号）：特開2011-176259
出願日： 2010年06月03日
公開日（公表日）： 2011年09月08日
要約：
【課題】光電変換膜中の異なる材料の界面において生じる湧き出し電荷を抑制し、暗電流を効果的に減少させることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。【解決手段】透明導電性膜と、光電変換膜と、導電性膜とを有する光電変換素子であって、光電変換膜が、一般式(i)で表される化合物を含む、光電変換素子。一般式(i)(式中、R2〜R9は、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。ただし、R3、R4、R7及びR8のうち少なくとも2つが、それぞれ独立にアリール基、複素環基、又は-N(Ra)(Rb)を表す。Ra及びRbは、それぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、Ra及びRbの少なくともいずれかは、アリール基又は複素環基を表す。R1は、アルキル基、アリール基、又は複素環基を表す。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
透明導電性膜と、光電変換膜と、導電性膜とを有する光電変換素子であって、前記光電変換膜が、下記一般式(i)で表される化合物を含む、光電変換素子。
一般式(i)
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/10 A
, H01L27/14 E
4M118BA07
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA14
, 4M118CA32
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118CB20
, 4M118GB03
, 4M118GB07
, 4M118GC07
, 5F049MA03
, 5F049MB08
, 5F049NA05
, 5F049NB05
