特許

J-GLOBAL ID：201103055303856822

Cu-Ga合金粉末の製造方法及びCu-Ga合金粉末、並びにCu-Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法及びCu-Ga合金スパッタリングターゲット

発明者： 森本 敏夫 ,  高橋 辰也 ,  安東 勲雄 ,  小向 哲史 ,  高木 正徳 ,  佐藤 恵理子 ,  南 浩尚
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (5件)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也 ,  野口 信博 ,  祐成 篤哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-187160
公開番号（公開出願番号）：特開2011-231396
出願日： 2010年08月24日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】高品質なCu-Ga合金粉末を容易に製造することができるCu-Ga合金粉末の製造方法及びCu-Ga合金粉末、並びにCu-Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法及びCu-Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Cu粉末とGaとが質量比で85:15〜55:45の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で30〜700°Cの温度で攪拌して合金化することにより、Cu-Ga合金粉末を得る。また、このCu-Ga合金粉末を成型し、焼結することにより、Cu-Ga合金スパッタリングターゲットを得る。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Cu粉末とGaとが質量比で85:15〜55:45の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で30〜700°Cの温度で攪拌して合金化することを特徴とするCu-Ga合金粉末の製造方法。

IPC (5件)：

B22F 1/00 ,  B22F 3/14 ,  B22F 1/02 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04

FI (7件)：

B22F1/00 E ,  B22F1/00 L ,  B22F3/14 D ,  B22F1/00 C ,  B22F1/02 A ,  C23C14/34 A ,  H01L31/04 E

Fターム (24件)：

4K018AA04 ,  4K018BA02 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC01 ,  4K018BC12 ,  4K018BC16 ,  4K018BC22 ,  4K018BC35 ,  4K018EA02 ,  4K018EA13 ,  4K018FA06 ,  4K018JA34 ,  4K018KA29 ,  4K018KA63 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24 ,  5F151AA10 ,  5F151BA14 ,  5F151CB15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-107501
  
• 特開昭61-261456
  
• 高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-323242   出願人：三菱マテリアル株式会社