特許
J-GLOBAL ID：201103055428467593
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019333
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223488
特許番号：特許第3233280号
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (1)表面が露出したシリコン層を有する基板を、酸素と窒素またはアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で加熱炉に搬入する工程と、(2)前記基板を、酸化性雰囲気に晒しつつ850°C以下の酸化温度にて前記シリコン層の表面に極薄の絶縁膜を形成する工程と、(3)非酸化性雰囲気にて前記加熱炉内の温度を前記工程(2)の酸化温度より高い800°C以上900°C未満の温度に昇温する工程と、(4)前記工程(3)の昇温された温度にて、極薄絶縁膜が形成された前記基板を前記加熱炉から取り出す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 S
, H01L 29/78 301 G
