特許

J-GLOBAL ID：201103055846411227

チタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法及びクラスタツール装置

発明者： 小林 保男 ,  多田 国弘 ,  吉川 秀樹
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075911
特許番号：特許第3767429号
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 被処理体の表面に、チタン膜と、チタンナイトライド膜を連続的に成膜する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を成膜するチタン成膜工程と、前記チタン膜の表面を還元ガスとアンモニアガスとを含む雰囲気下でプラズマ処理することにより窒化させるチタン窒化工程と、表面が窒化された前記チタン膜上にチタンナイトライド膜をCVD(Chemical Vapor Deposition)により成膜するチタンナイトライド成膜工程とを備えたことを特徴とするチタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  C23C 16/14 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 21/28 301 R ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• バリア層の形成方法、およびこれにより形成されたバリア層を有する半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050256   出願人：ソニー株式会社