特許

J-GLOBAL ID：201103055984127149

半導体装置およびその製造方法

発明者： 折田 城彦 ,  粟屋 信義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037902
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230254
特許番号：特許第3668404号
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板と、上記半導体基板上に形成され、銅を主成分とする配線層と、上記配線層の周囲に形成され、酸化珪素膜より低い誘電率を有する低誘電率絶縁膜とを備えた半導体装置において、上記低誘電率絶縁膜がリンおよび炭化水素を含んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 D

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036220   出願人：ソニー株式会社