特許
J-GLOBAL ID：200903075162259488
半導体装置の製造方法およびこれを用いた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-036220
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233630
出願日： 1998年02月18日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 Cu等易酸化性の金属配線上の有機系絶縁膜に接続孔を開口する際の、金属配線の酸化を防止する。【解決手段】 第1層金属配線5上に無機系絶縁膜6を薄く形成しておき、この上に下層有機系絶縁膜7および上層有機系絶縁膜8を形成する。この後、これら有機系絶縁膜をパターニングし、この後無機系絶縁膜をパターニングすることにより、接続孔9の開口を完了する。【効果】 接続孔開口の最終工程において、有機系絶縁膜のパターニングに必要な酸素系活性種と、金属配線との接触が防止される。したがって、低抵抗の配線および低誘電率の層間絶縁膜を要する高速ロジック系等の半導体装置を、信頼性高く製造することができる。
請求項（抜粋）：
金属配線上に形成された有機系絶縁膜に、前記金属配線に臨む接続孔を開口する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記金属配線上に接して無機系絶縁膜を形成する工程、前記無機系絶縁膜上に前記有機系絶縁膜を形成する工程、前記有機系絶縁膜をパターニングして、前記接続孔の深さ方向の一部を開口する工程、前記無機系絶縁膜をパターニングして、前記接続孔の深さ方向の残部を開口する工程、以上の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/312
H01L 21/90 A
, H01L 21/312 N
