特許
J-GLOBAL ID：201103056006795721

レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物

発明者：
平野 智之

平野 智之 について

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太宰 尚宏

太宰 尚宏 について

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塩野 大寿

塩野 大寿 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-146284
公開番号（公開出願番号）：特開2011-191727
出願日： 2010年06月28日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
【課題】有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像プロセスにより、微細なレジストパターンを良好なリソグラフィー特性にて形成できるレジストパターン形成方法、該方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物の提供。【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤(B)を含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、該レジスト膜を露光する工程、該レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、前記(A)として酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)、-SO2-含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a0)を有する樹脂成分(A1)を用いる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、および前記レジスト膜を、前記有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、 前記基材成分(A)として、酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)と、-SO2-含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a0)とを有する樹脂成分(A1)を用いることを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/10
FI (4件)：
G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F20/10
Fターム (48件)：
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN02P ,  2H125AN21P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125AN65P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA05 ,  2H125FA23 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC84Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC07 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (2件)

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