特許
J-GLOBAL ID：201103056035771408
イオン電流測定方法および測定装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-606045
特許番号：特許第3780849号
出願日： 1999年03月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 イオン電流密度測定装置が形成された半導体ウェハを用いてプラズマ処理装置のイオン電流密度を測定するイオン電流密度測定方法において、
前記イオン電流密度測定装置として、
第1の導体膜または半導体膜と、
該第1の導体膜または半導体膜上に形成された第1の絶縁体膜と、
該第1の絶縁膜上に形成された第2の導体膜と、
該第2の導体膜上及びその周囲に形成された第2の絶縁膜とを備え、
該第2の絶縁膜が前記第2の導体膜に達する溝を備えることより前記溝の底面に前記第2の導体膜が露出された領域と、
前記第1の絶縁膜が局所的に薄くなっていることにより電流が流れやすくなっている領域とを有するイオン電流密度測定装置を用い、
当該イオン電流密度測定装置を備えた半導体ウェハを所定時間プラズマに曝し、
前記ウェハをプラズマに曝した時間を測定し、
当該測定された暴露時間と、前記電流が流れやすくなっている領域が絶縁破壊に至る電荷量と前記第2の導体膜が露出された領域の面積とから、
前記プラズマに曝した際に前記ウェハに流れたイオン電流密度を計算することを特徴とするイオン電流密度測定方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 E
, H01L 21/66 C
