特許
J-GLOBAL ID：201103056173185676
窒化アルミニウム単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いた窒化アルミニウム単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
星野 哲郎
, 山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-168124
公開番号（公開出願番号）：特開2011-020900
出願日： 2009年07月16日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶自立基板を効率良く製造できる方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶等からなるベース基板11を準備する工程、準備した前記ベース基板11の単結晶面上に厚さ10nm〜1.5μmの窒化アルミニウム単結晶層12を形成する薄膜エピタキシャル成長工程、前記工程で得られた窒化アルミニウム単結晶層12の上に、窒素含有量が前記窒化アルミニウム単結晶層よりも少ない窒化アルミニウム多結晶層13を形成する多結晶層成長工程、及び前記工程で得られた積層基板から前記ベース基板11を除去するベース基板除去工程を含んでなる、積層体14の製造工程の後、第二の窒化アルミニウム単結晶15を層状に成長させる工程、さらに該窒化アルミニウム単結晶層15の少なくとも一部を分離して、自立基板として使用可能な窒化アルミニウム単結晶基板16を得る工程を含む、窒化アルミニウム単結晶自立基板の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウム単結晶層と、窒化アルミニウム多結晶層と、を含む積層構造を有し、前記窒化アルミニウム単結晶層の一方の主表面が表面に露出しており、
窒化アルミニウム多結晶層を構成する多結晶の窒素含有量が、窒化アルミニウム単結晶層を構成する単結晶の窒素含有量よりも少ない積層体を製造する方法であって、
(1) 形成しようとする窒化アルミニウム単結晶層を構成する材料とは異なる材料の単結晶からなる表面を有するベース基板を準備するベース基板準備工程、
(2) 準備した上記ベース基板の単結晶面上に厚さ10nm〜1.5μmの前記窒化アルミニウム単結晶層を形成する薄膜エピタキシャル成長工程、
(3) 上記工程で得られた窒化アルミニウム単結晶層の表面温度を850°C以上950以下とし、該窒化アルミニウム単結晶層表面に到達するアルミニウム原子を含有する原料ガスと窒素原子を含有する原料ガスを、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が0.5を超え3.0以下の範囲となるように供給し、該窒化アルミニウム単結晶層を破壊することなく該窒化アルミニウム単結晶層上に、1時間あたりの堆積量が100μmを超える速度で、該窒化アルミニウム単結晶層の厚さの100倍以上である前記窒化アルミニウム多結晶層を形成することにより、ベース基板上に前記窒化アルミニウム単結晶層および前記窒化アルミニウム多結晶層が積層された積層基板を製造する多結晶層成長工程、及び
(4) 前記工程で得られた積層基板から前記ベース基板を除去するベース基板除去工程を含んでなる、積層体の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38
, C30B 25/18
, C23C 16/34
, C23C 16/01
, H01L 33/32
C30B29/38 C
, C30B25/18
, C23C16/34
, C23C16/01
, H01L33/00 186
4G077AA02
, 4G077BE13
, 4G077DB05
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077TB03
, 4G077TC12
, 4G077TC16
, 4G077TK01
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB03
, 4K030BB12
, 4K030BB13
, 4K030CA01
, 4K030CA04
, 4K030DA02
, 4K030DA08
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA06
, 4K030JA10
, 4K030JA12
, 5F041AA31
, 5F041CA40
, 5F041CA57
