特許
J-GLOBAL ID：200903013705221235
III族窒化物単結晶の製造方法及びIII族窒化物単結晶基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 岩永 勇二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
, 野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-227412
公開番号（公開出願番号）：特開2009-057260
出願日： 2007年09月03日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
【課題】複数枚のIII族窒化物単結晶基板を形成することができ、かつ、結晶成長を繰り返してもIII族窒化物単結晶基板を切り出すことができる領域が減少しないIII族窒化物単結晶の製造方法、及びこの製造方法を用いて製造したIII族窒化物単結晶からIII族窒化物単結晶基板を製造する方法を提供する。【解決手段】III族窒化物単結晶の製造方法は、成長方向に垂直で第1の所定の面積を有する第1の結晶面12、及び成長方向に傾斜して第2の所定の面積を有する第2の結晶面13を有した種結晶を準備する種結晶準備工程と、成長条件を制御して、第1の所定の面積及び第2の所定の面積をそれぞれ所定の面積に維持しつつ、第1の結晶面12及び第2の結晶面13上にIII族窒化物単結晶を成長させる結晶成長工程とを備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
成長方向に垂直で第1の所定の面積を有する第1の結晶面、及び成長方向に傾斜して第2の所定の面積を有する第2の結晶面を有した種結晶を準備する種結晶準備工程と、
成長条件を制御して、前記第1の所定の面積及び前記第2の所定の面積をそれぞれ所定の面積に維持しつつ、前記第1の結晶面及び前記第2の結晶面上にIII族窒化物単結晶を成長させる結晶成長工程と
を備えるIII族窒化物単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077ED02
, 4G077FG11
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TB02
, 4G077TK01
, 4G077TK06
