グラフェン膜のエピタキシャル成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-047225
公開番号（公開出願番号）：特開2011-178644
出願日： 2010年03月04日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】大規模、均一かつ高品質のグラフェン膜およびその作成方法を提供する。【解決手段】結晶質基板100上に触媒薄膜101を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜102が形成される。前記触媒薄膜の触媒材料はNi、Pt、Co、Fe、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Rh、Ti、Pd、Ru、Ir及びReからなる群から選択された1つまたは複数の元素を含み、厚さは約1nmから約2mmの範囲である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

以下のステップを含むグラフェン膜作製方法。 (a)単結晶基板を用意する。 (b)前記単結晶基板上に結晶質触媒層を設ける。 (c)前記結晶質触媒層を設けた前記単結晶基板を処理する。 (d)前記結晶質触媒層の存在下でガス状炭素源を加熱して冷却することによってグラフェン膜を形成する。

IPC (4件)：

C30B 29/66 , C30B 29/02 , C23C 16/26 , C01B 31/02

FI (4件)：

C30B29/66 , C30B29/02 , C23C16/26 , C01B31/02 101F

Fターム (45件)：

4G077AA03 , 4G077BA02 , 4G077DB07 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077EF02 , 4G077EJ09 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK10 , 4G146AA07 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AD23 , 4G146AD28 , 4G146AD30 , 4G146AD32 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB06 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC27 , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC37B , 4G146BC38B , 4G146BC42 , 4G146BC44 , 4K029AA04 , 4K029BA12 , 4K029BB09 , 4K029BC00 , 4K029CA01 , 4K029EA01 , 4K029GA01 , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA05 , 4K030DA08 , 4K030FA17

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