特許
J-GLOBAL ID：201103056262667668
ヒューズ装置および回路基板
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-122235
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249177
出願日： 2010年05月28日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：
【課題】生産性を改善しつつ小型化を図ったヒューズ装置を提供すること。【解決手段】ヒューズ装置は、セラミック基体1と、発熱抵抗体21および第1の温度ヒューズ素子22を含む発熱抵抗体付き温度ヒューズ部2と、第2の温度ヒューズ素子31とを含んでいる。発熱抵抗体21は、セラミック基体1の内部にセラミック基体1と一体的に設けられている。第1の温度ヒューズ素子22は、セラミック基体1の表面に設けられているとともに、発熱抵抗体21に熱的に結合されている。第2の温度ヒューズ素子31は、セラミック基体1の表面に設けられており、第1の温度ヒューズ素子22に電気的に直列接続されているとともに、保護対象に熱的に結合される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
セラミック基体と、
発熱抵抗体および第1の温度ヒューズ素子を含んでおり、前記発熱抵抗体が前記セラミック基体の内部に該セラミック基体と一体的に設けられ、前記第1の温度ヒューズ素子が前記セラミック基体の表面に設けられているとともに前記発熱抵抗体に熱的に結合されている発熱抵抗体付き温度ヒューズ部と、
前記セラミック基体の表面に設けられ、前記第1の温度ヒューズ素子に電気的に直列接続された、保護対象に熱的に結合される第2の温度ヒューズ素子とを備えたことを特徴とするヒューズ装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01H37/76 Q
, H01H37/76 F
5G502AA02
, 5G502BA08
, 5G502BB09
, 5G502BB10
, 5G502BB15
, 5G502BC07
, 5G502BD02
, 5G502CC28
, 5G502EE01
, 5G502EE06
