特許
J-GLOBAL ID：201103056356578782

半導体装置の製造方法

発明者：
川崎 隆之

川崎 隆之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 野河 信太郎 ,  小池 隆彌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090521
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286233
特許番号：特許第3556119号
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】段差を有する半導体基板全面に上記段差を覆うようにポリシリコン膜を形成し、上記段差上にポリシリコンパターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、上記全面にポリシリコン膜を形成した後、所定の形状のマスクパターンを形成し、該マスクパターンをエッチングマスクとして用い、臭化水素ガスの流量を塩素ガスの流量より多くした上記臭化水素ガスと上記塩素ガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて、上記ポリシリコン側壁に反応生成物を堆積させながら、上記ポリシリコン膜の平坦部分をエッチングする工程と、上記マスクパターンをエッチングマスクとして用い、臭化水素ガスの流量を塩素ガスの流量より少なくし上記臭化水素ガスと上記塩素ガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて、上記段差側部のポリシリコンをエッチング除去する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/3065
FI (1件)：
H01L 21/302 105 A
引用特許：
審査官引用 (3件)

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