特許
J-GLOBAL ID：201103056582725798

レジスト変性用組成物及びパターン形成方法

発明者：
渡辺 武

渡辺 武 について

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飯尾 匡史

飯尾 匡史 について

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片山 和弘

片山 和弘 について

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畠山 潤

畠山 潤 について

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西 恒寛

西 恒寛 について

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金生 剛

金生 剛 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-115973
公開番号（公開出願番号）：特開2011-008236
出願日： 2010年05月20日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】ダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法に好適に用いられるレジスト変性用組成物を提供する。【解決手段】酸の作用でアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位とラクトン構造含有繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む第1レジスト膜を、露光、加熱処理、アルカリ現像して得られる第1レジストパターン上にレジスト変性用組成物を塗布し、加熱して変性処理を行い、その上に第2ポジ型レジスト材料を塗布し、第2レジストパターンを形成するパターン形成方法に用いるレジスト変性用組成物であって、下記式(1)又は(2)のカーバメート化合物と溶剤を含有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
1)酸の作用によってアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位とラクトン構造を含有する繰り返し単位とを有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を、基板上に塗布して第1のレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で第1のレジスト膜を露光し、加熱処理後に第1のレジスト膜をアルカリ現像して第1のレジストパターンを形成する工程と、 2)第1のレジストパターンの上にレジスト変性用組成物を塗布し、加熱して第1のレジストパターンの変性処理を行う工程と、 3)その上に第2のポジ型レジスト材料を塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で第2のレジスト膜を露光し、加熱処理後に第2のレジスト膜をアルカリ現像して第2のレジストパターンを形成する工程 を少なくとも含むパターン形成方法に使用されるレジスト変性用組成物であって、下記一般式(1)又は(2)で表されるカーバメート化合物と溶剤を含有することを特徴とするレジスト変性用組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (7件)：
G03F7/40 502 ,  G03F7/40 511 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 514A ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (37件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096HA01 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  2H097AA11 ,  2H097HA05 ,  2H097JA04 ,  2H097LA10 ,  2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH25 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM22P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN11P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  5F046AA13 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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